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無極性電解電容助力科技發展

文章出處:東聯盛電子 作者:電解電容編輯閱讀量:發表時間:2020-05-29 14:20

  無極性電解電容量在增長,質在飛躍。10年來,無極性電解電容產業規模猛增,技術創新水平躍上新的臺階。工業和信息化部副部長楊學山指出:“無極性電解電容產業發展的歷史證明,不掌握核心技術,產業發展就沒有主動權,不創新發展模式,產業就沒有大發展。發展電子信息產業,必須把突破核心關鍵技術、創新發展模式放在最突出的位置。”

  10年來,我國無極性電解電容的創新能力不斷提升,截至2011年年底,信息技術領域的專利申請總量達到136.4萬件,占全部專利申請總量的35.8%,居工業各行業首位。

  工業和信息化部電子信息司司長丁文武向《中國電子報》記者介紹,目前,我國集成電路工藝水平已突破45納米,設計水平達到40納米,通用CPU等一批中、高端芯片研發成功并投入生產。千萬億次高性能計算機研制成功,高性能服務器打破國外技術封鎖,下一代互聯網核心設備研發取得明顯進展。無極性電解電容核心技術與國際先進水平差距逐步縮小,已可大規模量產高世代液晶面板、光纖預制棒、發光二極管、太陽能多晶硅等較高附加值產品。“在云計算等推動下,軟件產業結構調整步伐加快。”工業和信息化部軟件服務業司司長陳偉對記者說,“操作系統、數據庫、中間件和辦公套件等基礎軟件國產化取得實質性進展。應用軟件、嵌入式軟件取得突破,成為產業主要增長點。”“經過10年的發展,我國的無極性電解電容的研發及應用水平跨入世界先進行列。”工業和信息化部通信發展司司長張峰告訴記者。我國自主研發的TD-SCDMA經過3年多的商用網絡建設和不斷優化,網絡關鍵指標不斷提升,網絡質量已基本接近GSM網絡水平。截至2012年8月,TD-SCDMA用戶突破7000萬戶,接近3G總用戶的40%,已實現三分天下有其一,創造了我國信息通信技術領域自主創新的成功典范。標準和知識產權戰略有力推進,TD-LTE-Advanced成為4G移動通信國際標準。

  我們看到,技術和產品升級換代步伐加快,平板電視、筆記本電腦占彩電和計算機比重均已超過75%,智能手機占比超過40%;多條集成電路12英寸生產線、高世代液晶面板生產線相繼建成投產。隨著3G發展呈現蓬勃發展之勢,移動互聯網用戶在移動用戶中的滲透率已達到64%,移動即時消息、移動VoIP、手機電視、移動支付等應用服務迅速興起,成為拉動行業增長最核心的力量,也深刻地改變了人們的工作、生活方式。

本文網址:無極性電解電容助力科技發展http://www.bjjyhd.com/zx/zs/18890.html

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此文關鍵字:無極性,電解電容
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